N-Kanal-Transistor HGTG30N60A4, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor HGTG30N60A4, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
8.98fr
5-24
8.29fr
25-49
7.71fr
50-99
7.32fr
100+
6.63fr
Veraltetes Produkt, wird bald aus dem Katalog entfernt. Letzte verfügbare Artikel
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 12

N-Kanal-Transistor HGTG30N60A4, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: SMPS Series IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 240A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60A4. Kollektorstrom: 75A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.6V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 463W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
HGTG30N60A4
26 Parameter
Ic(T=100°C)
60A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Funktion
SMPS Series IGBT
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
4.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
7V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
240A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
G30N60A4
Kollektorstrom
75A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.6V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
463W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.8V
Td(off)
150 ns
Td(on)
25 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für HGTG30N60A4