N-Kanal-Transistor HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: G30N60A4. Ic(Impuls): 240A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N60A4D. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 75A. Kollektorstrom: 75A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 463W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 463W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 240A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19