N-Kanal-Transistor HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V

N-Kanal-Transistor HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V

Menge
Stückpreis
1-4
0.80fr
5-49
0.64fr
50-99
0.54fr
100+
0.48fr
Menge auf Lager: 108

N-Kanal-Transistor HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 250pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Harris. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
HUF75307D3S
28 Parameter
ID (T=25°C)
13A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.09 Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK ( TO-252AA )
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
250pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
75307D
Kosten)
100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
35W
RoHS
ja
Td(off)
35 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
UltraFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
45 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Harris