N-Kanal-Transistor IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 1360pF. CE-Diode: ja. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 60A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20PR5. Kollektorstrom: 40A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 43pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 288W. RoHS: ja. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35