N-Kanal-Transistor IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 1810pF. CE-Diode: ja. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 90A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30PR5. Kollektorstrom: 60A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 50pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Td(off): 310 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35