N-Kanal-Transistor IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 2330pF. CE-Diode: ja. Eingebaute Diode: ja. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 180A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K40H1203. Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 80A. Kosten): 185pF. Leistung: 483W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 483W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Transistortyp: IGBT-Transistor. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35