N-Kanal-Transistor IKW75N60T, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 4620pF. CE-Diode: ja. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 225A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K75T60. Kollektorstrom: 80A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 288pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Trr-Diode (Min.): 182 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35