N-Kanal-Transistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 440pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: ID pulse 19A. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). IDss (min): 1uA. Id(imp): 19A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R600E6. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 28W. RoHS: ja. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00