N-Kanal-Transistor IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO263-7. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Technologie: OptiMOS Power. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00