N-Kanal-Transistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 7360pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 40V. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 750mK/W. IDss (min): 20uA. Id(imp): 650A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 1680pF. Leistung: 200W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 202A. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 71 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00