N-Kanal-Transistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

N-Kanal-Transistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

Menge
Stückpreis
1-4
2.32fr
5-24
2.01fr
25-49
1.86fr
50+
1.68fr
Menge auf Lager: 2

N-Kanal-Transistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohm. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2150pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Synchroner Hochfrequenz-Abwärtswandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 380A. Kanaltyp: N. Kosten): 680pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
IRF3711ZS
30 Parameter
ID (T=100°C)
65A
ID (T=25°C)
92A
IDSS (max)
150uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0048 Ohm
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK ( TO-263 )
Spannung Vds(max)
20V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2150pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Synchroner Hochfrequenz-Abwärtswandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
380A
Kanaltyp
N
Kosten)
680pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
79W
RoHS
ja
Td(off)
15 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
16 ns
Vgs(th) max.
2.45V
Vgs(th) min.
1.55V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier