N-Kanal-Transistor IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Aufladung: 8.3nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 180pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drain-Source-Spannung: 100V. Funktion: -. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 81pF. Leistung: 43W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 4A, 5.6A. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 0.54 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00