N-Kanal-Transistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 16.7nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 360pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drain-Source-Spannung: 100V. Funktion: Niedrige Eingangsaufladung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 3.1K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 37A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 150pF. Leistung: 48W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 9.7A. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00