N-Kanal-Transistor IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB
Menge
Stückpreis
5-9
0.84fr
10-49
0.76fr
50-249
0.68fr
250-1049
0.62fr
1050+
0.58fr
| +1386 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit! | |
| Menge auf Lager: 196 |
N-Kanal-Transistor IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse: TO220AB. Antriebsspannung: 10V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 33A. Information: -. Kanaltyp: N. Leistung: 130W. MSL: -. Maximaler Drainstrom: 33A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Polarität: MOSFET N. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:35
IRF540NPBF
16 Parameter
Vdss (Drain-Source-Spannung)
100V
Drain-Source-Spannung (Vds)
100V
Einschaltwiderstand Rds On
0.044 Ohms
Gehäuse
TO220AB
Antriebsspannung
10V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
33A
Kanaltyp
N
Leistung
130W
Maximaler Drainstrom
33A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
130W
Polarität
MOSFET N
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon
Mindestmenge
5