N-Kanal-Transistor IRF540PBF, TO220, 100V, 100V. Gehäuse: TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 28A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF540PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 22A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42