N-Kanal-Transistor IRF540Z, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 21 milliOhms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1770pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, <0,021 Ohm. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 92W. RoHS: ja. Td(off): 43 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08