N-Kanal-Transistor IRF7101PBF, SO8, 20V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 320pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: F7101. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:37