N-Kanal-Transistor IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V. ID (T=25°C): 3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 50V. Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: 2xN-CH 50V. G-S-Schutz: nein. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27