N-Kanal-Transistor IRF710PBF, 400V, 3.6 Ohms, 400V. Drain-Source-Spannung (Vds): 400V. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 170pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRF710PBF. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Maximaler Drainstrom: 2A. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38