N-Kanal-Transistor IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 16.7nC. Drain-Source-Spannung: 30V. Funktion: 0.05R. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Leistung: 2W. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 4.9A. Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27