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N-Kanal-Transistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8
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N-Kanal-Transistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Antriebsspannung: -. Anzahl der Terminals: 8:1. Eigenschaften: -. Funktion: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 4.7A. Information: -. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 95. MSL: -. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43
IRF7341
19 Parameter
Vdss (Drain-Source-Spannung)
55V
Gehäuse
SO8
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Anzahl der Terminals
8:1
Funktion
tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
4.7A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
95
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
2W
Polarität
MOSFET N
RoHS
ja
Serie
HEXFET
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier