N-Kanal-Transistor IRF7343TRPBF, SO8, -55V, 55V/-55V. Gehäuse: SO8. Vdss (Drain-Source-Spannung): -55V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V/-55V. Antriebsspannung: -. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740/690pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 4.7A/-3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12/22 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: F7343. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 3.4A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Polarität: MOSFET N+P. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:24