N-Kanal-Transistor IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 770pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 88A. Kanaltyp: N. Kosten): 190pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 31us. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43