N-Kanal-Transistor IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 360pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kosten): 92pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43