N-Kanal-Transistor IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V
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N-Kanal-Transistor IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 38nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 610pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Drain-Source-Spannung: 500V. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 160pF. Leistung: 74W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 4.5A, 2.9A. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 320 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 1.5 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43