N-Kanal-Transistor IRF9952QPBF, SO8, 30V/-30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190/190pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3.5A/-2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: F9952Q. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:45