N-Kanal-Transistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.52 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1423pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 52 nC. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kosten): 208pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43