N-Kanal-Transistor IRFB3207Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 6920pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 670A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB3207. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 600pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 36ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43