N-Kanal-Transistor IRFB3307Z, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0046 Ohm. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4750pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 512A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 420pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Td(off): 38 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43