N-Kanal-Transistor IRFB3607PBF, TO220AB
Menge
Stückpreis
1-4
1.77fr
5-9
1.11fr
10-19
0.98fr
20-49
0.91fr
50+
0.86fr
| Menge auf Lager: 5 |
N-Kanal-Transistor IRFB3607PBF, TO220AB. Gehäuse: TO220AB. : erweitert. Aufladung: 56nC. Drain-Source-Spannung: 75V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 140W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. Strömung abfließen: 80A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 09/11/2025, 09:02
IRFB3607PBF
13 Parameter
Gehäuse
TO220AB
erweitert
Aufladung
56nC
Drain-Source-Spannung
75V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
140W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
Strömung abfließen
80A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET
Verpackung
tubus
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies