N-Kanal-Transistor IRFB4115, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0093 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5270pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gewicht: 1.99g. IDss (min): 20uA. Id(imp): 420A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 490pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 380W. RoHS: ja. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 86 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43