N-Kanal-Transistor IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-Kanal-Transistor IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Menge
Stückpreis
1-4
1.78fr
5-24
1.58fr
25-49
1.45fr
50-99
1.35fr
100+
1.20fr
Menge auf Lager: 74

N-Kanal-Transistor IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 7330pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 1000A. Kanaltyp: N. Kosten): 1095pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Td(off): 78 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

IRFB7437
29 Parameter
ID (T=100°C)
180A
ID (T=25°C)
250A
IDSS (max)
150uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.5M Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
40V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
7330pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
1000A
Kanaltyp
N
Kosten)
1095pF
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
230W
RoHS
ja
Td(off)
78 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
30 ns
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.2V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies