N-Kanal-Transistor IRFBC30A, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 510pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 70pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43