N-Kanal-Transistor IRFBE30, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kosten): 310pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43