N-Kanal-Transistor IRFBF20S, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 8 Ohms. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 490pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 6.8A. Kanaltyp: N. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 54W. RoHS: ja. Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43