N-Kanal-Transistor IRFD110PBF, DIP-4, 100V, 60V, 100V. Gehäuse: DIP-4. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 60V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 4. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.9ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRFD110PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 1A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Maximaler Drainstrom: 0.8A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38