N-Kanal-Transistor IRFD220, DIP4
Menge
Stückpreis
1-4
3.43fr
5-9
2.46fr
10-19
2.31fr
20-49
2.22fr
50+
2.13fr
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N-Kanal-Transistor IRFD220, DIP4. Gehäuse: DIP4. Aufladung: 14nC. Drain-Source-Spannung: 200V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 1W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 0.5A. 800mA. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:39
IRFD220
11 Parameter
Gehäuse
DIP4
Aufladung
14nC
Drain-Source-Spannung
200V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
1W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
0.5A
Transistortyp
N-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay