N-Kanal-Transistor IRFD220PBF, DIP, 200V, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 200V. Gehäuse: DIP. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Terminals: 4. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 22pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 260pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 0.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: IRFD220PBF. IDss (min): 25uA. Id(imp): 6.4A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 53pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43