N-Kanal-Transistor IRFI540GPBF, ITO-220AB, 100V

N-Kanal-Transistor IRFI540GPBF, ITO-220AB, 100V

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N-Kanal-Transistor IRFI540GPBF, ITO-220AB, 100V. Gehäuse: ITO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFI540GPBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38

Technische Dokumentation (PDF)
IRFI540GPBF
16 Parameter
Gehäuse
ITO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
100V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
53 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1700pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
17A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.077 Ohms @ 10A
Einschaltzeit ton [nsec.]
11 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRFI540GPBF
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
48W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)