N-Kanal-Transistor IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: Diode. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kosten): 200pF. Maximaler Drainstrom: 4.6A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51