N-Kanal-Transistor IRFL024NPBF, SOT-223, 55V. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 400pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: FL024N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06