N-Kanal-Transistor IRFL4310PBF, SOT-223, 100V

N-Kanal-Transistor IRFL4310PBF, SOT-223, 100V

Menge
Stückpreis
1+
1.22fr
Menge auf Lager: 396

N-Kanal-Transistor IRFL4310PBF, SOT-223, 100V. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 1.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: FL4310. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06

Technische Dokumentation (PDF)
IRFL4310PBF
16 Parameter
Gehäuse
SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds [V]
100V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
34 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
330pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
1.6A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 1.6A
Einschaltzeit ton [nsec.]
7.8 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
FL4310
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
2.1W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier