N-Kanal-Transistor IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

N-Kanal-Transistor IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
3.51fr
5-9
3.27fr
10-24
3.09fr
25-49
2.91fr
50+
2.65fr
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N-Kanal-Transistor IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Gehäuse: TO-247. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 113.3nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4000pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 55V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 390A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 1300pF. Leistung: 150W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Strömung abfließen: 98A. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP064N
40 Parameter
Gehäuse
TO-247
ID (T=100°C)
59A
ID (T=25°C)
110A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.008 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
113.3nC
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
4000pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drain-Source-Spannung
55V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
20V, ±20V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Gehäuse thermischer Widerstand
1K/W
IDss (min)
25uA
Id(imp)
390A
Kanaltyp
N
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
25
Kosten)
1300pF
Leistung
150W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Strömung abfließen
98A
Td(off)
43 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
110 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier