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N-Kanal-Transistor IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V
Menge
Stückpreis
1-4
1.93fr
5-24
1.65fr
25-49
1.45fr
50-99
1.31fr
100+
1.12fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 57 |
N-Kanal-Transistor IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: PowerMOSFET. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 25uA. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51
IRFP140N
22 Parameter
ID (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
33A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.052 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
100V
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
PowerMOSFET
G-S-Schutz
nein
IDss (min)
25uA
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
140W
Td(off)
44 ns
Td(on)
8.2 ns
Technologie
HEXFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier