N-Kanal-Transistor IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

N-Kanal-Transistor IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
4.43fr
5-9
3.89fr
10-24
3.46fr
25-49
3.21fr
50+
2.83fr
Menge auf Lager: 31

N-Kanal-Transistor IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3450pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: SMPS MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 88A. Kanaltyp: N. Kosten): 513pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 277W. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP22N50A
27 Parameter
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
22A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.23 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
500V
C(in)
3450pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
SMPS MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
88A
Kanaltyp
N
Kosten)
513pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
277W
Td(off)
47 ns
Td(on)
26 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
570 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier