N-Kanal-Transistor IRFP250PBF, TO247, 200V, 200V. Gehäuse: TO247. Vdss (Drain-Source-Spannung): 200V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2800pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRFP250PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 33A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38