N-Kanal-Transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-Kanal-Transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
3.97fr
5-24
3.51fr
25-49
3.18fr
50-99
2.89fr
100+
2.54fr
Menge auf Lager: 119

N-Kanal-Transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4057pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gewicht: 5.57g. IDss (min): 25uA. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Kosten): 603pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 268 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP260N
31 Parameter
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
50A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.04 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
4057pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Gewicht
5.57g
IDss (min)
25uA
Id(imp)
200A
Kanaltyp
N
Kosten)
603pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
300W
RoHS
ja
Td(off)
55 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
268 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier