N-Kanal-Transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

N-Kanal-Transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
8.21fr
5-14
7.60fr
15-29
7.17fr
30-59
6.83fr
60+
6.31fr
Menge auf Lager: 15

N-Kanal-Transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4660pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 50uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Kosten): 460pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 500W. RoHS: ja. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP27N60KPBF
30 Parameter
ID (T=100°C)
18A
ID (T=25°C)
27A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.18 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4660pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
SMPS MOSFET, Low Gate Charge
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
50uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Kosten)
460pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
500W
RoHS
ja
Td(off)
43 ns
Td(on)
27 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
620 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay