N-Kanal-Transistor IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

N-Kanal-Transistor IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
3.84fr
5-9
3.47fr
10-24
3.08fr
25-49
2.80fr
50+
2.48fr
Menge auf Lager: 9

N-Kanal-Transistor IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 400V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4500pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 92A. Kanaltyp: N. Kosten): 1100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Td(off): 100 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP360
29 Parameter
ID (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
23A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.20 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
400V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4500pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
92A
Kanaltyp
N
Kosten)
1100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
280W
RoHS
ja
Td(off)
100 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
420 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier