N-Kanal-Transistor IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

N-Kanal-Transistor IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
4.69fr
5-9
4.16fr
10-24
3.88fr
25-49
3.66fr
50+
3.44fr
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N-Kanal-Transistor IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.029 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 5860pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: PDP-Switch. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 230A. Kanaltyp: N. Kosten): 530pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: Idm--230Ap. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP4332
29 Parameter
ID (T=100°C)
40A
ID (T=25°C)
57A
IDSS (max)
1mA
Einschaltwiderstand Rds On
0.029 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-40...+175°C
C(in)
5860pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
PDP-Switch
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
20uA
Id(imp)
230A
Kanaltyp
N
Kosten)
530pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
360W
RoHS
ja
Spec info
Idm--230Ap
Technologie
HEXFET Power-MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
190 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier